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MOS損壞主要原因：

過(guò)流——持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀。

過(guò)壓——源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿。

靜電——靜電擊穿，CMOS電路都怕靜電。

防止MOS燒毀

MOS問(wèn)題遠(yuǎn)沒(méi)這么簡(jiǎn)單，麻煩在它的柵極和源級(jí)間，源級(jí)和漏級(jí)間，柵極和漏級(jí)間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程（電容電壓不能突變），而MOS源級(jí)和漏級(jí)間由截止到導(dǎo)通的開通過(guò)程受柵極電容的充電過(guò)程制約。

然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨(dú)立的，如果獨(dú)立的就很簡(jiǎn)單了。

其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是柵極和漏級(jí)間的電容Cgd，這個(gè)電容業(yè)界稱為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的，隨柵極和漏級(jí)間電壓變化而迅速變化。這個(gè)米勒電容是柵極和源級(jí)電容充電的絆腳石，因?yàn)闁艠O給柵-源電容Cgs充電達(dá)到一個(gè)平臺(tái)后，柵極的充電電流必須給米勒電容Cgd充電。這時(shí)柵極和源級(jí)間電壓不再升高，達(dá)到一個(gè)平臺(tái)，這個(gè)是米勒平臺(tái)（米勒平臺(tái)就是給Cgd充電的過(guò)程），米勒平臺(tái)大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給Cgs充電，到達(dá)一定平臺(tái)后再給Cgd充電）。

因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候源級(jí)和漏級(jí)間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會(huì)導(dǎo)致MOS寄生電感產(chǎn)生很大感抗。這里面就有電容、電感、電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高振蕩幅度越大，所以zui

關(guān)鍵的問(wèn)題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過(guò)渡。

Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止MOS管燒毀。

過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒振蕩，但過(guò)慢的充電雖減小了振蕩，但會(huì)延長(zhǎng)開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。MOS開通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓MOS只有幾毫歐姆）的一個(gè)轉(zhuǎn)變過(guò)程。