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紫光微MOS管的常用參數(shù):

VDS，即漏源電壓，這是紫光微MOS管的一個極限參數(shù)，表示紫光微MOS管漏極與源極之間能夠承受的最大電壓值。需要注意的是，這個參數(shù)是跟結(jié)溫相關(guān)的，通常結(jié)溫越高，該值最大。

RDS(on)，漏源導(dǎo)通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導(dǎo)通時，漏源極之間的導(dǎo)通電阻。這個參數(shù)與紫光微MOS管結(jié)溫，驅(qū)動電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi)，結(jié)溫越高，Rds越大;驅(qū)動電壓越高，Rds越小。

Qg，柵極電荷，是在驅(qū)動信號作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是紫光微MOS管從截止狀態(tài)到完全導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動電路所需提供的電荷，是一個用于評估紫光微MOS管的驅(qū)動電路驅(qū)動能力的主要參數(shù)。

Id，漏極電流，漏極電流通常有幾種不同的描述方式。根據(jù)工作電流的形式有，連續(xù)漏級電流及一定脈寬的脈沖漏極電流(Pulsed drain current)。這個參數(shù)同樣是紫光微MOS管的一個極限參數(shù)，但此最大電流值并不代表在運行過程中漏極電流能夠達到這個值。它表示當殼溫在某一值時，如果MOSFET工作電流為上述最大漏極電流，則結(jié)溫會達到最大值。所以這個參數(shù)還跟器件封裝，環(huán)境溫度有關(guān)。

Eoss，輸出容能量，表示輸出電容Coss在紫光微MOS管存儲的能量大小。由于紫光微MOS管的輸出電容Coss有非常明顯的非線性特性，隨Vds電壓的變化而變化。所以如果datasheet提供了這個參數(shù)，對于評估紫光微MOS管的開關(guān)損耗很有幫助。并非所有的紫光微MOS管手冊中都會提供這個參數(shù)，事實上大部分datasheet并不提供。

Body Diode di/dt 體二極管的電流變化率，它反應(yīng)了紫光微MOS管體二極管的反向恢復(fù)特性。因為二極管是雙極型器件，它受到電荷存儲的影響，當二極管反向偏置時，PN結(jié)儲存的電荷必須清除，上述參數(shù)正是反應(yīng)這一特性的。

Vgs，柵源極最大驅(qū)動電壓，這也是紫光微MOS管的一個極限參數(shù)，表示紫光微MOS管所能承受的最大驅(qū)動電壓，一旦驅(qū)動電壓超過這個極限值，即使在極短的時間內(nèi)也會對柵極氧化層產(chǎn)生永久性傷害。一般來說，只要驅(qū)動電壓不超過極限，就不會有問題。但是，某些特殊場合，因為寄生參數(shù)的存在，會對Vgs電壓產(chǎn)生不可預(yù)料的影響，需要格外注意。

SOA，安全工作區(qū)，每種紫光微MOS管都會給出其安全工作區(qū)域，不同雙極型晶體管，功率紫光微MOS管不會表現(xiàn)出二次擊穿，因此安全運行區(qū)域只簡單從導(dǎo)致結(jié)溫達到最大允許值時的耗散功率定義。